Обозначение производителя:
IXDN75N120
6 853.08 ₽
/шт от 0 до 2 шт
6 853.08 ₽/шт
от 3 до 9 шт
6 055.18 ₽/шт
от 10 шт
5 436.02 ₽/шт
В корзину
Характеристики
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
IGBT
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
660Вт
Все характеристики
Характеристики
Механический монтаж
винтами
Электрический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Корпус
SOT227B
Рассеиваемая мощность
660Вт
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Технология
NPT
Ток коллектора
150А
Ток коллектора в импульсе
190А
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
