Модули IGBT

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ - YANGJIE TECHNOLOGY

Арт.: MG75HF12MRC1-YAN

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

коннекторы FASTON

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

C1 34mm

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

транзистор/транзистор

Топология

—

полумост IGBT

Ток коллектора

—

75А

Ток коллектора в импульсе

—

150А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B - IXYS

Арт.: IXDN75N120

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SOT227B

Рассеиваемая мощность

—

660Вт

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

NPT

Ток коллектора

—

150А

Ток коллектора в импульсе

—

190А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

6 853.08 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

6 853.08 ₽/шт

от 3 до 9 шт

6 055.18 ₽/шт

от 10 шт

5 436.02 ₽/шт

В корзину

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; винтами - POWEREX

Арт.: CM600HB-24A

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

винтами

Тип модуля

—

IGBT

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

IGBTMOD™

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Ток коллектора

—

600А

Ток коллектора в импульсе

—

1,2кА

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А - STARPOWER SEMICONDUCTOR

Арт.: GD35PJY120L3S

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-in PCB

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

L3.0

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Технология

—

Advanced Trench FS IGBT

Топология

—

термистор NTC

Ток коллектора

—

35А

Ток коллектора в импульсе

—

70А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А - SEMIKRON DANFOSS

Арт.: SK35GAL12T4

Механический монтаж

—

винтами

Электрический монтаж

—

Press-in PCB

Тип модуля

—

IGBT

Корпус

—

SEMITOP2

Версия

—

Применение

—

преобразователь частоты

Обратное напряжение макс.

—

1,2кВ

Конструкция диода

—

диод/транзистор

Топология

—

boost chopper

Ток коллектора

—

35А

Ток коллектора в импульсе

—

105А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

1 2 3 ... 26