Арт.: G3R20MT12N
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
365Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
SiC
Ток стока
—
74А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
1,2кВ
Сопротивление в открытом состоянии
—
20мОм
Напряжение затвор-исток
—
-5...15В
Ток стока в импульсном режиме
—
240А
8 154.77 ₽
/шт от 0 до 9 шт
8 154.77 ₽/шт
от 10 шт
7 538.64 ₽/шт
В корзину
Арт.: IXFN44N80P
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
694Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
Polar™
Заряд затвора
—
200нC
Ток стока
—
39А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
800В
Сопротивление в открытом состоянии
—
190мОм
Напряжение затвор-исток
—
±30В
Время готовности
—
250нс
Ток стока в импульсном режиме
—
100А
Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; Ugs: ±30В; 694Вт
Описание
5 835.31 ₽
/шт от 0 до 2 шт
5 835.31 ₽/шт
от 3 до 9 шт
5 158.34 ₽/шт
от 10 шт
4 634.24 ₽/шт
В корзину
Арт.: DACMH160N1200-DCO
Рабочая температура
—
-55...150°C
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
HB9434
Рассеиваемая мощность
—
580Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
транзистор/транзистор
Технология
—
SiC
Ток стока
—
110А
Напряжение сток-исток
—
1,2кВ
Сопротивление в открытом состоянии
—
20мОм
Напряжение затвор-исток
—
-5...20В
Топология
—
полумост MOSFET
Ток стока в импульсном режиме
—
400А
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; винтами; 580Вт
Описание
51 786.22 ₽
/шт от 0 до 2 шт
51 786.22 ₽/шт
от 3 шт
46 638.80 ₽/шт
В корзину
Арт.: APT30M19JVFR
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
ISOTOP
Рассеиваемая мощность
—
700Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
POWER MOS V®
Ток стока
—
130А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
300В
Сопротивление в открытом состоянии
—
19мОм
Напряжение затвор-исток
—
±30В
Ток стока в импульсном режиме
—
520А
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; Ugs: ±30В; 700Вт
Описание
13 723.35 ₽
/шт от 0 до 2 шт
13 723.35 ₽/шт
от 3 шт
12 126.09 ₽/шт
В корзину
Арт.: S2M0080120N-SMC
Механический монтаж
—
винтами
Электрический монтаж
—
винтами
Тип модуля
—
полевой МОП-транзистор
Корпус
—
SOT227B
Рассеиваемая мощность
—
176Вт
Полярность
—
полевой
Конструкция диода
—
одиночный транзистор
Технология
—
SiC
Характеристики полупроводниковых элементов
—
вывод Кельвина
Ток стока
—
25А
Вид канала
—
обогащенный
Напряжение сток-исток
—
1,2кВ
Сопротивление в открытом состоянии
—
137мОм
Напряжение затвор-исток
—
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
—
82А
4 445.50 ₽
/шт от 0 до 2 шт
4 445.50 ₽/шт
от 3 до 11 шт
3 993.15 ₽/шт
от 12 до 35 шт
3 540.81 ₽/шт
от 36 шт
3 166.45 ₽/шт
В корзину
