Оптовые поставки электронных компонентов

+7 495 104-42-20

Заказать звонок

Задать вопрос

Войти

info@n-trade.ooo

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

Сравнение0 Избранные товары 0 Корзина 0

Контактная информация

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

info@n-trade.ooo

Транзисторы и модули IGBT

Модули IGBT

Транзисторы IGBT

Транзистор: IGBT; 650В; 11А; 22Вт; TO220FP; T6 - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IKA15N65ET6

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO220FP

Серия

—

Рассеиваемая мощность

—

22Вт

Вид упаковки

—

туба

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

TRENCHSTOP™ 6

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Заряд затвора

—

37нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

650В

Ток коллектора

—

11А

Ток коллектора в импульсе

—

57,5А

Время включения

—

50нс

Время выключения

—

202нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

177.82 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

177.82 ₽/шт

от 3 шт

163.78 ₽/шт

В корзину

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 280Вт; TO247AD - SIRECTIFIER

Арт.: SG40T120UDB2-SIR

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247AD

Рассеиваемая мощность

—

280Вт

Вид упаковки

—

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Заряд затвора

—

230нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

1,2кВ

Ток коллектора

—

40А

Ток коллектора в импульсе

—

180А

Время включения

—

109нс

Время выключения

—

338нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

556.86 ₽

/шт

от 0 до 4 шт

556.86 ₽/шт

от 5 до 24 шт

500.70 ₽/шт

от 25 до 59 шт

442.99 ₽/шт

от 60 шт

397.76 ₽/шт

В корзину

Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 333Вт; TO247-3; H3 - INFINEON TECHNOLOGIES

Арт.: IGW50N60H3

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO247-3

Серия

—

Рассеиваемая мощность

—

333Вт

Вид упаковки

—

туба

Конструкция диода

—

одиночный транзистор

Технология

—

TRENCHSTOP™ 3

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

600В

Ток коллектора

—

50А

Ток коллектора в импульсе

—

200А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

879.74 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

879.74 ₽/шт

от 3 до 9 шт

776.79 ₽/шт

от 10 до 29 шт

698.80 ₽/шт

от 30 шт

652.01 ₽/шт

В корзину

Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP - TOSHIBA

Арт.: GT15J341

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO220FP

Рассеиваемая мощность

—

30Вт

Вид упаковки

—

туба

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

600В

Ток коллектора

—

15А

Ток коллектора в импульсе

—

60А

Время включения

—

180нс

Время выключения

—

320нс

Напряжение затвор - эмиттер

—

±25В

283.89 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

283.89 ₽/шт

от 3 до 9 шт

255.81 ₽/шт

от 10 до 49 шт

226.17 ₽/шт

от 50 шт

204.34 ₽/шт

В корзину

Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 375Вт; TO3P - STMicroelectronics

Арт.: STGWT60H65DFB

Монтаж

—

THT

Корпус

—

TO3P

Рассеиваемая мощность

—

375Вт

Вид упаковки

—

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

—

integrated anti-parallel diode

Заряд затвора

—

306нC

Тип транзистора

—

IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер

—

650В

Ток коллектора

—

60А

Ток коллектора в импульсе

—

240А

Напряжение затвор - эмиттер

—

±20В

853.22 ₽

/шт

от 0 до 2 шт

853.22 ₽/шт

от 3 до 9 шт

767.43 ₽/шт

от 10 до 29 шт

678.52 ₽/шт

от 30 шт

608.33 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 122

Сортировка

Цена

63.95

69 397.95

138 732.95

208 066.95

277 401.02

Рабочая температура

Монтаж

PCB (7)

SMD (51)

THT (420)

Механический монтаж

Электрический монтаж

Press-Fit (17)

Press-in PCB (18)

SMT (5)

THT (10)

винтами (28)

коннекторы FASTON (43)

Тип модуля

gate driver board (7)

IGBT (121)

IPM (1)

Серия

F5 (11)

H3 (16)

H5 (18)

T6 (3)

Сопутствующие товары

Версия

D56 (8)

D59 (2)

D61 (4)

D67 (2)

D93 (1)

T2 (1)

Напряжение питания

13...30В DC (1)

14,4...15,6В DC (6)

14...16В DC (1)

Вид выхода

Применение

for medium and high power application (8)

двигатели (14)

для UPS (1)

инвертор (10)

преобразователь частоты (61)

фотоэлектрика (2)

Вид упаковки

Мощность

11кВт (2)

15кВт (4)

22кВт (1)

30кВт (1)

4кВт (1)

5,5кВт (2)

7,5кВт (2)

Обратное напряжение макс.

0,6кВ (2)

1,2кВ (91)

1,6кВ (1)

1,7кВ (10)

600В (13)

650В (3)

900В (1)

Конструкция диода

диод/тиристор/БТИЗ (1)

диод/транзистор (48)

одиночный транзистор (184)

транзистор/транзистор (52)

Характеристики полупроводниковых элементов

integrated anti-parallel diode (168)

reverse conducting IGBT (RC-IGBT) (13)

вывод Кельвина (1)

высоковольтный (55)

Частота

100кГц (1)

15кГц (1)

200кГц (1)

50кГц (5)

Тип транзистора

Характеристики интегральных схем

Выходной ток

1,2кА (1)

15А (2)

20А (1)

8А (4)

Класс напряжения

Напряжение затвор - эмиттер

±10В (1)

±20В (493)

±25В (14)

±30В (44)

Торговое название