Оптовые поставки электронных компонентов

+7 495 104-42-20

Заказать звонок

Задать вопрос

Войти

info@n-trade.ooo

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

Сравнение0 Избранные товары 0 Корзина 0

Контактная информация

Москва, Нагатинская ул., дом 3 А

info@n-trade.ooo

Транзисторы многоканальные

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; SOP8 - WAYON

Арт.: WMS09DP03TS-CYG

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOP8

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

лента

Вид канала

—

обогащенный

Тип транзистора

—

P-MOSFET x2

104.53 ₽

/шт

от 0 до 9 шт

104.53 ₽/шт

от 10 до 24 шт

62.35 ₽/шт

от 25 до 99 шт

56.85 ₽/шт

от 100 до 499 шт

49.51 ₽/шт

от 500 шт

47.68 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOP8 - WAYON

Арт.: WMS140DNV6LG4-CYG

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOP8

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

лента

Вид канала

—

обогащенный

Тип транзистора

—

N-MOSFET x2

86.19 ₽

/шт

от 0 до 9 шт

86.19 ₽/шт

от 10 до 24 шт

49.51 ₽/шт

от 25 до 99 шт

40.34 ₽/шт

от 100 до 499 шт

34.84 ₽/шт

от 500 до 1999 шт

33.01 ₽/шт

от 2000 до 3999 шт

31.17 ₽/шт

от 4000 до 7999 шт

29.34 ₽/шт

от 8000 шт

27.51 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А - VISHAY

Арт.: SI7938DP-T1-GE3

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

PowerPAK® SO8

Рассеиваемая мощность

—

46Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

лента

Технология

—

TrenchFET®

Заряд затвора

—

65нC

Ток стока

—

60А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

40В

Тип транзистора

—

N-MOSFET x2

Сопротивление в открытом состоянии

—

7мОм

Ток стока в импульсном режиме

—

80А

Напряжение затвор-исток

—

±20В

267.74 ₽

/шт

от 0 до 9 шт

267.74 ₽/шт

от 10 до 24 шт

218.22 ₽/шт

от 25 до 99 шт

207.22 ₽/шт

от 100 до 249 шт

185.21 ₽/шт

от 250 до 499 шт

179.71 ₽/шт

от 500 до 999 шт

172.38 ₽/шт

от 1000 до 2999 шт

166.88 ₽/шт

от 3000 шт

161.38 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт - DIOTEC SEMICONDUCTOR

Арт.: MMBT7002KW-AQ-DIO

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOT363

Рассеиваемая мощность

—

0,3Вт

Полярность

—

полевой

Применение

—

автомобильная отрасль

Вид упаковки

—

лента

Характеристики полупроводниковых элементов

—

ESD protected gate

Ток стока

—

0,3А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

60В

Тип транзистора

—

N-MOSFET x2

Сопротивление в открытом состоянии

—

3Ом

Ток стока в импульсном режиме

—

1,2А

Напряжение затвор-исток

—

±20В

7.34 ₽

/шт

от 0 до 99 шт

7.34 ₽/шт

от 100 до 499 шт

5.50 ₽/шт

от 500 до 2999 шт

5.50 ₽/шт

от 3000 до 11999 шт

5.50 ₽/шт

от 12000 шт

3.67 ₽/шт

В корзину

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-5А; Idm: 24÷-20А; 2Вт - YANGJIE TECHNOLOGY

Арт.: YJS4606A-YAN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOP8

Рассеиваемая мощность

—

2Вт

Полярность

—

полевой

Вид упаковки

—

лента

Заряд затвора

—

5,2нC

Ток стока

—

6/-5А

Вид канала

—

обогащенный

Напряжение сток-исток

—

30/-30В

Тип транзистора

—

N/P-MOSFET

Сопротивление в открытом состоянии

—

29мОм

Напряжение затвор-исток

—

±20В

Ток стока в импульсном режиме

—

24...-20А

22.01 ₽

/шт

от 0 до 49 шт

22.01 ₽/шт

от 50 до 249 шт

16.50 ₽/шт

от 250 до 999 шт

14.67 ₽/шт

от 1000 до 3999 шт

12.84 ₽/шт

от 4000 шт

11 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 65

Сортировка

Цена

3.67

2 070.67

4 137.67

6 204.67

8 272.32

Монтаж

Размеры

Полярность

Применение

Вид упаковки

бобина (10)

лента (239)

россыпью (1)

туба (7)

Конструкция диода

асимметричная (11)

два последовательных диода (5)

общий источник (4)

общий сток (25)

Характеристики полупроводниковых элементов

ESD protected gate (63)

logic level (3)

MOSFET H-Bridge (1)

super junction coolmos (1)

Вид канала

Тип транзистора

N-JFET x2 (1)

N-MOSFET x2 (179)

N/P-MOSFET (97)

N/P-MOSFET x2 (2)

P-MOSFET x2 (45)

Ток управления

Время готовности

200нс (2)

250нс (1)

300нс (1)

66нс (1)

84нс (1)

Вид транзистора

Напряжение затвор-исток

±10В (1)

±12В (2)

±20В (16)

±8В (4)