Памяти SRAM - микросхемы

IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; SO32; параллельный - INFINEON (CYPRESS)

Арт.: CY62128EV30LL-45SX

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SO32

Рабочее напряжение

—

2,2...3,6В

Вид памяти

—

SRAM

Тип микросхемы

—

память SRAM

Емкость памяти

—

1Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

128Кx8бит

Время доступа

—

45нс

Ширина микросхемы

—

450mils

Память SRAM; 128Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; SO32; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C34098A-10TIN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

TSOP44 II

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

4Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

256Кx16бит

Время доступа

—

10нс

Память SRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS7C34096A-12JIN

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOJ36

Рабочее напряжение

—

3...3,6В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

fast

Емкость памяти

—

4Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

512Кx8бит

Время доступа

—

12нс

Ширина микросхемы

—

400mils

Память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; параллельный - ALLIANCE MEMORY

Арт.: AS6C4008-55SINTR

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

SOP32

Рабочее напряжение

—

2,7...5В

Вид памяти

—

асинхронная

Тип микросхемы

—

память SRAM

Характеристики интегральных схем

—

LPC

Емкость памяти

—

4Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

512Кx8бит

Время доступа

—

55нс

Ширина микросхемы

—

450mils

Память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32; параллельный

Описание

По запросу

Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа

IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP32; параллельный - ISSI

Арт.: 62WV5128BLL55TLI

Рабочая температура

—

-40...85°C

Монтаж

—

SMD

Корпус

—

TSOP32

Рабочее напряжение

—

2,5...3,6В

Вид памяти

—

SRAM

Тип микросхемы

—

память SRAM

Емкость памяти

—

4Mб

Виды интерфейса

—

параллельный

Структура памяти

—

512Кx8бит

Время доступа

—

55нс

Память SRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP32; параллельный

Описание

1 123.99 ₽

/шт

от 0 до 4 шт

1 123.99 ₽/шт

от 5 до 24 шт

1 085.36 ₽/шт

от 25 шт

969.46 ₽/шт

В корзину

1 2 3 ... 35